| 发明名称 | 具有栅极间隔结构和低电阻沟道耦接的场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了具有栅极间隔结构和低电阻沟道耦接的场效应晶体管。场效应晶体管结构(3p，3n)的间隔结构(24p，24n)至少局部增强有不动的载流子。间隔结构里聚集的电荷在位于下面的半导体基体(1)里感应出一运动的载流子的增强区(13n，13p)。增强区(13n，13p)减小了在相应源极/漏极区(61，62)和一由栅电极(21)的一个电位所控制的相应的场效应晶体管结构(3p，3n)的沟道区(63)间的一沟道耦接的电阻。从场效应晶体管结构(3p，3n)的栅电极(21)收拉的源极/漏极区(61，62)减小了在栅电极(21)和相应的源极/漏极区(61，62)间的重叠电容。提出了用以分别合适方式聚集的间隔结构(24n，24p)制造具有n-FETs(3n)和p-FETs(3p)的晶体管装置的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100449786C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200610051519.8 | 申请日期 | 2006.02.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | M·歌德巴赫;R·施托默 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.场效应晶体管结构，其具有-第一(61)和第二(62)源极/漏极区，它们分别设计成在半导体基体(1)里的一种第一导电型的部段，并连接于半导体基体(1)的一个结构表面(10)上；-一个在源极/漏极区(61，62)之间形成的沟道区(63)，它是本征导通的或者相应于与第一导电型相反的第二导电型掺杂；-一个布置在沟道区(63)之上并通过一种栅极介质(20)与沟道区(63)分离开的栅电极(21)；和-一个置于结构表面(10)上的介电的第一间隔结构(24)，它指向第一源极/漏极部位(61)地连接于栅电极(21)；其特征在于，第一间隔结构(24)至少在一个连接于半导体基体(1)的控制部段(242n，242p)上具有对应于第二导电型的第二电荷型式的载流子大于1e11/em2的单位面积电荷密度。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||