发明名称 |
基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的耐压线性稳压器,应用于电源系统中。本发明包括:预稳压器,根据输入电压,产生稳定电压,为带隙放大器供电;带隙放大器,根据反馈信号,输出驱动信号;驱动器,当接收到驱动信号,根据输入电压,产生输出电压;反馈单元,根据输出电压,输出反馈信号;驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管;N个PMOS晶体管依次串联连接,带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制,将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端,每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏,N为大于1的正整数。本发明将7805等专用线性稳压芯片的功能在标准CMOS上实现,降低整机成本。 |
申请公布号 |
CN105955385A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201610293842.X |
申请日期 |
2016.05.05 |
申请人 |
上海铄梵电子科技有限公司 |
发明人 |
乐忠明 |
分类号 |
G05F1/565(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/565(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器,包括:预稳压器,根据输入电压,产生稳定电压,为带隙放大器供电;带隙放大器,根据反馈信号,输出驱动信号;驱动器,当接收到所述驱动信号,根据输入电压,产生输出电压;反馈单元,根据所述输出电压,输出所述反馈信号;其特征在于,所述驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管;N个PMOS晶体管依次串联连接,带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制,将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端,每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏,N为大于1的正整数。 |
地址 |
201611 上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房2404室 |