| 发明名称 | 一种石墨件表面沉积碳化硅的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨件表面沉积碳化硅的方法，包括如下步骤：(1)石墨表面除杂：首先将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去；(2)CVD沉积：将处理后的石墨件送入CVD反应炉，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层。本发明通过在CVD反应炉之前设置预处理炉，将石墨件含有的金属杂质通过与卤族气体反应形成金属氯化物升华除去，有利于纯化石墨件，避免其含有的杂质带入后续的系统。另外，通过超声清洗，进一步清洁石墨件的表面，避免附着的颗粒物存在影响碳化硅涂层的结合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN106146045A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610802017.8 | 申请日期 | 2016.09.05 |
| 申请人 | 江苏协鑫特种材料科技有限公司 | 发明人 | 田新;蒋文武;李力;张春伟;于伟华 |
| 分类号 | C04B41/87(2006.01)I;C04B41/91(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 黄天天;肖明芳 |
| 主权项 | 一种石墨件表面沉积碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)石墨表面除杂：首先将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去；(2)CVD沉积：将处理后的石墨件送入CVD反应炉，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层。 | ||
| 地址 | 221001 江苏省徐州市鼓楼区经济技术开发区杨山路66号 | ||