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Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das Ausbilden eines Isolierfilms umfasst, der ein Material mit einer Si-CH<SUB>3</SUB>-Bindung und Si-OH-Bindung enthält, und Bestrahlen des Isolierfilms mit Ultraviolettstrahlen, ist das Ausmaß der Abnahme an C-Konzentration durch röntgenstrahlangeregte Photoelektronenspektroskopie nicht größer als 30%, und das Ausmaß der Abnahme von einer oder mehreren Bindung(en), die aus der Gruppe ausgewählt ist/sind, die aus C-H-Bindung, O-H-Bindung und Si-O-Bindung von Si-OH besteht, als ein Ergebnis von Ultraviolettstrahlen-Bestrahlung nicht kleiner als 10%. Es werden ein Isolierfilm mit niedriger Dielektrizitätskonstante, der eine große Filmfestigkeit aufweist und eine Vergrößerung der Dielektrizitätskonstante aufgrund von Feuchtigkeitsabsorption verhindern kann, eine Halbleitervorrichtung, die eine Verzögerung bei der Vorrichtungsansprechgeschwindigkeit und Verringerung der Zuverlässigkeit aufgrund einer Zunahme von parasitärer Kapazität verhindern kann, und ein Herstellungsverfahren dafür zur Verfügung gestellt.
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