| 发明名称 | 一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的电极 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基III-V族化合物半导体器件的电极，包括n电极6和p电极7，n电极6位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓(n-GaN)层2上，p电极7分别位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(p-GaN)4和透明电极5上，n电极6由欧姆接触层6A、阻挡层6B和金属压焊层6C三层构成，p电极7由粘附导电层7A、阻挡层7B和金属压焊层7C三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层6A和粘附导电层7A均为铬Cr，金属压焊层6C和7C均为金属铝Al。可以降低生产成本、简化生产工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN100403568C | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200610166563.3 | 申请日期 | 2006.12.30 |
| 申请人 | 武汉华灿光电有限公司 | 发明人 | 张建宝;徐韬 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 朱必武;周瑾 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓基III-V族化合物半导体器件的电极，包括n电极(6)和p电极(7)，n电极(6)位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓层(2)上，p电极(7)分别位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(4)和透明电极(5)上，n电极(6)由欧姆接触层(6A)、阻挡层(6B)和金属压焊层(6C)三层构成，p电极(7)由粘附导电层(7A)、阻挡层(7B)和金属压焊层(7C)三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层(6A)和粘附导电层(7A)均为铬，金属压焊层(6C)和(7C)均为金属铝Al。 | ||
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园创业楼2015室 | ||