| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种横向双扩散金属氧化物半导体器件。在一个示例性实施例中，LDMOS器件包括在p型衬底上形成的第一n型阱，在所述第一n型阱中形成的多个隔离层，在所述多个隔离层的每一个的表面上形成的p型离子注入区域，以及在所述第一n型阱和所述多个隔离层上选择性形成的栅极。本发明涉及具有较高击穿电压和较低导通电阻的横向双扩散MOS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101388408A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810146014.9 | 申请日期 | 2008.08.06 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴日用 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1. 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：第一n型阱，其形成在p型衬底上；多个隔离层，其形成在所述第一n型阱中；p型离子注入区域，其形成在所述多个隔离层的每一个的表面上；以及栅极，其选择性地形成在所述第一n型阱和所述多个隔离层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||