| 摘要 |
유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터 및 이의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터는, 유무기 하이브리드 페로브스카이트를 포함하는 반도체층, 상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극, 게이트 전극, 및 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 형성된 게이트 절연막을 포함할 수 있다. 이에, 본 발명의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터는 종래의 유기 반도체 기반 발광 트랜지스터보다 높은 색순도를 가질 수 있다. 또한, 전계효과 이동도(field-effect mobility), 및 점멸비(on/off ratio)가 높아져 스위칭 특성이 향상될 수 있으며, 제조비용을 절감시킬 수 있다. |
