非易失性半导体存储装置、电子卡及电子装置

摘要

本发明提供具备可以电改写数据的多个非易失性半导体存储单元(1a、1b)、为了对上述非易失性半导体存储单元写入/读出数据与外部之间授受数据的接口部(6、7、9)和用于控制上述非易失性半导体存储单元的控制电路(2a、2b、3a、3b、4a、4b、5a、5b)，上述接口部和控制电路具有经过第1起动步骤从上述非易失性半导体存储单元读出数据，通过上述接口部连续地输出(N+M)(N是2的n次方，n是正整数，N＞M)字节的数据的第1读出模式和经过第2起动步骤从上述非易失性半导体存储单元读出数据，通过上述接口部连续地输出K(K是2的k次方，k是正整数)字节的数据的第2读出模式的非易失性半导体存储装置。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，它具备：可以电改写数据的多个非易失性半导体存储单元(1a、1b)、为了对上述非易失性半导体存储单元写入/读出数据，与外部之间授受数据的接口部(6、7、9)、和用于控制上述非易失性半导体存储单元的控制电路(2a、2b、3a、3b、4a、4b、5a、5b)，上述接口部和控制电路具有：经过第1起动步骤从上述非易失性半导体存储单元读出数据，通过上述接口部连续地输出N+M字节数据的第1读出模式、和经过第2起动步骤，从上述非易失性半导体存储单元读出数据，通过上述接口部连续地输出K字节数据的第2读出模式，其中N＝2n，N＞M，K＝2k，n和k是正整数。