发明名称 用长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器寿命
摘要 本实用新型涉及一种利用使用长寿命的非挥发性随机存储芯片,或者长寿命的非挥发性非随机存储芯片构成的物理分区,在这个分区中进行需要在外部主存储介质盘构成的存储器中存储需要频繁读写的数据文件的储存区的存储介质部分。这个物理分区可以作为“存储器和所存储的文件基本信息数据”的存储区,和/或作为虚拟存储器,来提高磁、光、半导体等多种内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用寿命的方法。特别涉及一种使用具有长寿命的非挥发性随机存储芯片的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的存储控制器和将其作为内部和/或外部非挥发性数据文件存储器存储介质的方法。
申请公布号 CN2854694Y 申请公布日期 2007.01.03
申请号 CN200520025922.4 申请日期 2005.05.18
申请人 程滋颐 发明人 程滋颐
分类号 G06F12/00(2006.01);G06F12/16(2006.01) 主分类号 G06F12/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路,包括:存储控制电路,用于控制数据存取:主存储介质:主存储介质控制器,与存储控制电路相连,控制主存储介质的数据存取,与主存储介质一起构成主存储器:其特征在于,还包括:长寿命存储介质,存储需要频繁读写的基本数据和/或其他数据:长寿命存储介质控制器,与存储控制电路相连,控制长寿命存储介质的数据存取,与长寿命存储介质一起构成长寿命储存器。
地址 300190天津市南开区白堤路风荷东园4号楼4门501号