SOI垂直的双极型功率器件

摘要

一种垂直的SOI器件，其适于功率应用，其中器件具有垂直的漂移区和发射极构型，其以根据SOI(绝缘体上的硅)工艺的结构方式借助隔离沟槽来实施。任务是，实现在将功率器件(IGBT器件和二极管器件)集成到基于SOI晶片的电路中时面积的获得。为此，我们推荐一种带有隔离沟槽的SOI器件，该隔离沟槽确定了一个来自漂移区。具有被掩埋的绝缘层，该隔离沟槽延伸直到该绝缘层；具有发射载流子的电极区，其被构造得与该绝缘层相邻接并且与漂移区接触，其中电极区具有带有第一掺杂类型的第一条形区域和带有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二条形区域；具有第一掺杂类型的第一侧壁掺杂，它被设置在该隔离沟槽的第一侧壁上。

主权项

1.SOI器件，它具有一个隔离沟槽(43)，该隔离沟槽确定了一个垂直的漂移区(46)，一个被掩埋的绝缘层(42)，该隔离沟槽(43)延伸直到该绝缘层(42)，一个发射载流子的电极区(31，32)，它被构造得与该绝缘层(42)相邻接并且与该漂移区(46)接触，其中该电极区(31，32)具有带有第一掺杂类型的第一条形区域(31)和带有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二条形区域(32)，所述第一掺杂类型的一个第一侧壁掺杂(44)，它被设置在该隔离沟槽(43)的一个第一侧壁上，所述第二掺杂类型的一个第二侧壁掺杂(45)，它被设置在该隔离沟槽(43)的一个第二侧壁上，其中带有所述第一侧壁掺杂(44)的这些第一条形区域(31)和带有所述第二侧壁掺杂(45)的这些第二条形区域(32)是接触的。