NAND闪存中阵列源极线的形成方法

摘要

本发明揭示在NAND闪存装置(100)的晶片中制造阵列源极线结构(112)的方法(500、550)。一个方法实施态样(500)包括：例如分别在晶片(602及102)的衬底(604)和STI(409或136)上形成(510)ONO堆栈(620)的第一氧化物(610)和氮化物层(611)，接着注入(512)N+离子种通过该堆栈(620)而至晶片(602)的源极线区域(606)中。该方法(500)还包括在该氮化物层(611)上形成(514)该ONO堆栈(620)的第二氧化物层(612)以及在晶片(602)的该整个ONO堆栈(620)上形成氧化铝层(622)，去除该ONOA堆栈(620，622)以及在外围区域(未显示)中形成(514)栅极氧化物层，接着例如使用局部互连掩模而蚀刻(516)晶片(602)的阵列源极线区域(606)中的该ONOA堆栈(620)的开口(626)。该方法(500)亦包含清洁(518)晶片并于晶片(602)上形成多晶硅层(628)，以及选择性蚀刻(520)该多晶硅层(628)并蚀刻(522)该氧化铝层(622)以同时形成在位线接触区域(605、608)中的字线(130)和选择漏极栅极结构(124)及在源极线区域(606)中的选择源极栅极(116)结构和阵列源极线结构(634)。方法(500)还包含在晶片(602)中形成的源极/漏极区域(106)的开口中注入(522)N－掺杂离子种，例如MDD材料。该方法(500)亦包括在位线接触区域(605)和源极线接触区域(606)中形成(524)侧壁间隔物，在该位线接触区域(605)中注入(526)阵列离子种，以及最后在核心区域的该多晶硅层(604)中形成硅化物层(654)以形成用在栅极(116、124)、位线(110)、字线(130)、该选择栅极(116)、以及源极线结构接触栓(132)的导电层。因此，该方法(500)在不蚀刻进入该STI(409)或使用局部互连结构的情况下，允许同时形成该字线(130)、选择栅极(116、124)以及这些阵列源极线(112)以简化和降低工艺成本、以及改进良率。

主权项

1.一种在NAND闪存的晶片中制造阵列源极线结构的方法(500)，包括：形成(510)多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的第一电介质层和电荷捕捉层于该晶片的衬底和STI上；注入(512)离子种于阵列源极线区域中，以结合该阵列源极线结构至源极/漏极区域；形成(514)第二电介质层于该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的该电荷捕捉层上，以及形成高介电材料层于该第二电介质层上；去除(516)该阵列源极线区域中的该高介电材料层和该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈，从而定义该晶片的该阵列源极线区域中的该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈中和该高介电材料层中的局部互连开口；形成(518)多晶硅层于该晶片上，借此以多晶硅填满该局部互连开口；选择性(520、522)去除该多晶硅层以及该高介电材料层，从而同时定义在该晶片的位线接触区域中的字线和选择漏极栅极结构、及在该晶片的源极线区域中的选择源极栅极结构和源极线结构；以及注入(522、526)离子种通过该多晶硅层中和该高介电材料层中的这些开口以于该晶片的该位线接触区域和该源极线区域中形成该源极/漏极区域，其中，于该晶片的该源极线区域中形成的该源极线结构与该选择源极栅极结构的该源极/漏极区域结合。