| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一半导体装置，具有一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)配置在基板上，第二接触点(14)之一接触点表面系比第一接触点(12，16，22，24，26)之一接触点表面自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离；以及至少一第一(34)以及一第二(40)图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一接触点而被形成；第二金属平面(40)系比第一金属平面(34)自基板(8)在基板法线方向有一较大的距离，第二接触点(14)系以电连接到位于其上在基板法线方向之第二金属平面(40)之一导体而无第一金属平面(34)之一导体被连接在其间，以及第一接触点(12，16，22，24，26)系电连接到位于其上在基板法线方向之第一金属平面(34)之一导体。 | ||
| 申请公布号 | CN100449748C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN02817129.2 | 申请日期 | 2002.08.21 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·戈尔勒 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L21/8249(2006.01) | 主分类号 | H01L23/528(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有-一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；-至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)配置在该基板上，该第二接触点(14)一接触点表面比该第一接触点(12，16，22，24，26)的一接触点表面自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离；以及-至少一第一(34)以及一第二(40)图样化金属平面，在其每一中至少一电连接到至少一该接触点的导体被形成；该第二图样化金属平面(40)比该第一图样化金属平面(34)在自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离，该第二接触点(14)电连接到位于其上在该基板法线方向上该第二图样化金属平面(40)的一导体而无该第一图样化金属平面(34)的一导体被连接在其间，以及该第一接触点(12，16，22，24，26)经由在该第一接触点上且位于该基板法线方向上该第一图样化金属平面(34)的导体而电连接到位于该基板法线方向上该第二图样化金属平面的导体。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||