Graben-DMOS transistor mit einem kurzen Kanal,申请号DE1994630768T-传众专利搜索

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发明名称	Graben-DMOS transistor mit einem kurzen Kanal
摘要
申请公布号	DE69430768(T2)	申请公布日期	2002.11.14
申请号	DE1994630768T	申请日期	1994.03.15
申请人	SILICONIX INC., SANTA CLARA	发明人	HSHIEH, FWU-IUAN;CHANG, MIKE F.;YILMAZ, HAMZA
分类号	H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772	主分类号	H01L21/336
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