发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜,则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的,在半导体膜中可能出现畸变。这样,在某些情况下,得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明,借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后,用热处理工艺对半导体膜进行加热,降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热,此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此,有可能降低形成在半导体膜中的畸变,从而提高半导体膜的物理性质。 |
申请公布号 |
CN100592481C |
申请公布日期 |
2010.02.24 |
申请号 |
CN200710006745.9 |
申请日期 |
2002.02.22 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;三津木亨;高野圭惠 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
李静岚;梁 永 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在绝缘表面上形成包含非晶硅的半导体膜;通过用激光辐射所述半导体膜而使所述半导体膜结晶;将该结晶的半导体膜图形化为至少一个小岛形状的半导体层;通过在等于或大于500℃的温度下执行热处理来减少小岛形状的半导体层中的畸变,其中所述畸变是由所述激光的辐射引起的;在热处理之后,在小岛形状的半导体层上形成栅绝缘膜;以及在栅绝缘膜上形成栅电极。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |