发明名称 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
摘要 In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit mehreren Befestigungsstellen (23), B) Bereitstellen von optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit je einer Chipoberseite (30) und einer dieser gegenüberliegenden Montageseite (32), wobei sich elektrische Kontaktstellen (34) der Halbleiterchips (3) je an den Montageseiten (32) befinden, C) Anbringen von Verbindungsmitteln (4), D) Befestigen der Kontaktstellen (34) auf den Befestigungsstellen (23) mittels der Verbindungsmittel (4), E) Erzeugen einer Vergussschicht (5), sodass die Halbleiterchips (3) und die Kontaktstellen (34) und die Verbindungsmittel (4) ringsum direkt von der Vergussschicht (5) umgeben sind, F) Ablösen der Halbleiterchips (3), sodass die Verbindungsmittel (4) von den Halbleiterchips (3) entfernt werden und an den Kontaktstellen (34) als Negativform zu den Verbindungsmitteln (4) je Ausnehmungen (44) entstehen, und G) Erzeugen von elektrischen Kontaktstrukturen (6).
申请公布号 DE102015102699(A1) 申请公布日期 2016.08.25
申请号 DE201510102699 申请日期 2015.02.25
申请人 OSRAM Opto Semiconductors GmbH 发明人 Herrmann, Siegfried
分类号 H01L33/54;H01L33/62 主分类号 H01L33/54
代理机构 代理人
主权项
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