一种化学机械研磨方法及装置

摘要

本申请公开了一种化学机械研磨方法及装置，该方法和装置通过设置与研磨平台相连的抛光速率检测系统，实时监测晶片的当前抛光速率并与设定的目标抛光速率比较，根据比较结果向排气系统发送相应信号反馈，控制排气系统增大或减小排气管道内的气体压强，改变当前的抛光速率直到与目标抛光速率一致，从而保持化学机械研磨过程中抛光速率的稳定性。

主权项

一种化学机械研磨方法，提供晶片进行化学机械研磨，设定目标抛光速率，该方法还包括：在所述化学机械研磨过程中，实时监测当前抛光速率，将获得的当前抛光速率与所述目标抛光速率相比较，如果当前抛光速率大于目标抛光速率，则增大排气管道中的气体压强；如果当前抛光速率小于目标抛光速率，则减小排气管道中的气体压强。