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In dieser Erfindung schließt ein Verfahren zur Beurteilung atomarer Leerstellen in einer Oberflächenschicht eines Siliciumwafers Folgendes ein: einen Elementbildungsschritt, in dem ein Paar kammförmiger Elektroden (31, 32) auf derselben Oberfläche einer Siliciumprobe (6) über piezoelektrischen Dünnschichten (29, 30) gebildet werden; einen Erfassungsschritt, während dessen die Siliciumprobe (6) gekühlt wird und ein Ultraschallimpuls von einer kammförmigen Elektrode (31) erzeugt wird, während ein äußeres Magnetfeld angelegt wird, der Ultraschallimpuls sich durch die Oberfläche der Siliciumprobe (6) ausbreitet und durch die andere kammförmige Elektrode (32) empfangen wird und eine Phasendifferenz zwischen dem Ultraschallimpuls, der durch die eine kammförmige Elektrode (31) erzeugt wurde, und dem Ultraschallimpuls, der durch die andere kammförmige Elektrode (32) empfangen wurde, erfasst wird; und einen Beurteilungsschritt, während dessen die Elastizitätskonstante der Oberfläche der Siliciumprobe (6) auf Basis der Phasendifferenz bestimmt wird und die atomaren Leerstellen in der Oberfläche der Siliciumprobe (6) auf der Basis von Veränderungen der Elastizitätskonstante gemäß der Temperatur oder Änderungen der Elastizitätskonstante gemäß der Intensität des Magnetfelds beurteilt werden. |
