| 发明名称 | 一种半导体用钼片镀铑工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体用钼片镀铑工艺，用于钼质量分数大于99.9%的半导体用钼片电镀铑，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：预处理；步骤二：酸洗；步骤三：碱洗；步骤四：电镀铑。本发明的镀铑层与钼片结合良好，镀铑后的钼片表面无黑点、无油渍、无起皮。 | ||
| 申请公布号 | CN106245084A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610614566.2 | 申请日期 | 2016.07.29 |
| 申请人 | 成都立威讯科技有限公司 | 发明人 | 杨素贤 |
| 分类号 | C25D7/12(2006.01)I;C25D5/38(2006.01)I;C25D3/50(2006.01)I | 主分类号 | C25D7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种半导体用钼片镀铑工艺，用于钼质量分数大于99.9％的半导体用钼片电镀铑，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：预处理；步骤二：酸洗；步骤三：碱洗；步骤四：电镀铑。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区天府大道北段1700号9栋1单元6层612号 | ||