| 摘要 |
<p>L'invention concerne une cellule solaire à haut pouvoir absorbant qui comprend un substrat en silicium cristallin et une couche de jonction semiconductrice du système In1-xGaxAsyP1-y, à haut pouvoir absorbant, réalisée par croissance épitaxique. La jonction pn s'opère sous forme d'homojonction dans le substrat ou d'hétérojonction à l'interface entre le substrat et la couche à haut pouvoir absorbant. Un contact métallique arrière situé sur le substrat et une structure d'électrodes en peigne située au-dessus de la couche à haut pouvoir absorbant complètent la cellule solaire.</p> |
