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发明名称
III-NITRIDE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PROGRAMMABLE GATE
摘要
A III-nitride semiconductor device which includes a charged floating gate electrode.
申请公布号
US2008087917(A1)
申请公布日期
2008.04.17
申请号
US20070857113
申请日期
2007.09.18
申请人
BRIERE MICHAEL A
发明人
BRIERE MICHAEL A.
分类号
H01L29/739;H01L21/336
主分类号
H01L29/739
代理机构
代理人
主权项
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