| 摘要 |
Bei einem Datenspeichersystem, das ein Array aus nichtflüchtigen Direktzugriffsspeichern (NVRAM-Array) enthält, handelt es sich bei einer Seite um eine kleinste Einheit des NVRAM-Array, auf die durch Lese- und Schreiboperationen zugegriffen werden kann, und bei einem Speicherblock, der mehrere Seiten enthält, handelt es sich um eine kleinste Einheit des NVRAM-Array, die gelöscht werden kann. Daten werden in dem NVRAM-Array in Seiten-Stripes gespeichert, die über mehrere Speicherblöcke verteilt sind. In Reaktion auf Erkennen eines Fehlers in einer bestimmten Seite eines bestimmten Blocks des NVRAM-Array wird lediglich die bestimmte Seite des bestimmten Blocks deaktiviert, so dass wenigstens zwei der mehreren Speicherblöcke, über die ein bestimmter Seiten-Stripe der Seiten-Stripes verteilt ist, unterschiedliche Anzahlen von aktiven (nichtdeaktivierten) Seiten enthalten. |
