具有连接至源极的背栅的GaN HEMT

摘要

本发明通过在栅极和漏极之间的成核层和缓冲层中刻蚀出空隙来减小GaN器件的沟道层内的动态导通电阻。可以镀敷该空隙和器件衬底的下侧以形成背栅金属层。本发明通过减小从HEMT的栅极到漏极的电场强度来增加器件击穿电压。通过将背栅金属层置于沟道的有源区域的下面来减小该电场强度。背栅金属层可以与源极或漏极电接触。

主权项

一种高电子迁移率场效应晶体管器件，包括：衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；布置在所述势垒层上的源极、栅极和漏极；空隙，其位于至少在所述栅极和所述漏极之间延伸的有源区域下方的缓冲层和衬底中；布置在所述衬底下侧上的背栅金属层；所述源极与所述背栅金属层电连接。