电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法

摘要

本发明一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。

主权项

1、一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。