适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法

摘要

本发明的适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素的结构在N衬底上生长一层P+型外延层，在P+型外延层上生长一层P型外延层，在P外延层区内注入一层N+区，并在N+区浅注入一层P区，从而形成两个PN结，可以吸收不同波长的注入光。本发明提出的是一种基于N衬底和光电二极管的有源像素结构，这种有源像素结构不仅有效的降低了暗电流、提高了量子效率，而且改进了在蓝光区域的量子效应。由于减少了光产生的电子－空穴对的复合，因此可以产生相应的效果。利用N衬底可以有效的防止像素之间的光电荷的扩散，防止弥散现象。

主权项

1、一种适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素，其特征在于，主体包括N型衬底、P+外延层与P型外延层；P+外延层生长于N衬底上，P型外延层生长于P+外延层上；所述的P型外延层还设有N+区，形成一个PN结；在N+区上还设有P区，形成另一个PN结。