METHOD FOR PRODUCING PLANAR INSULATING LAYERS WITH BREAKTHROUGHS AT THE CORRECT POSITION BY MEANS OF LASER CUTTING AND DEVICES PRODUCED ACCORDINGLY

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren mindestens einer elektrischen Kontaktfläche (6) auf einer Oberfläche eines Substrats (1) und/oder einer Oberfläche eines auf dem Substrat (1) angeordneten Halbleiterchips (2). Dabei erfolgt ein Auflaminieren einer Folie (4) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf den Oberflächen. Danach wird ein flächiges Kontaktieren der mittels Öffnungen (3) in der Folie frei zugänglichen Kontaktflächen (6) mit einer Schicht aus elektrisch leitendem Material ausgeführt. Es sollen bei einem planaren elektrischen Kontaktierungsverfahren in einer kurzen Bearbeitungszeit Öffnungen (3) in einer Isolierung erzeugt werden. Insbesondere sollen Öffnungen (3) präzise zu Kontaktflächen (6) positioniert werden, Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass vor dem Auflaminieren ein Erzeugen jeweiliger Öffnungen (3) in der Folie aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial im Bereich der zu kontaktierenden Kontaktfläche (6) mittels Laserschneiden erfolgt. Dieses Verfahren eignet sich für alle planaren elektrischen Kontaktierungen. Es können entsprechend kontaktierte Substrate (1) beziehungsweise Halbleiterchips (2) erzeugt werden. Als Halbleiterchips (2) können insbesondere Leistungshalbleiterchips verwendet werden.