发明名称 固态成像装置及其驱动方法、固态成像装置的制造方法以及电子信息设备
摘要 固态成像装置100a包括:光电变换元件PD1和PD2,其形成在第一导电性类型半导体衬底100内;以及转移晶体管Tt1和Tt2,其形成在半导体衬底100的第一主表面上,用于将由光电变换元件生成的信号电荷转移到光电变换元件的外部。转移晶体管中的每一个的栅极电极107被配置成,配置在电荷累积区102的第一主表面侧的表面上,所述电荷累积区102配置光电变换元件PD1和PD2中的每一个。结果,能够实现高分辨率图像,其中进一步抑制了噪声和残留图像。
申请公布号 CN103688359B 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201280037072.2 申请日期 2012.05.24
申请人 夏普株式会社 发明人 小西武文
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/369(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 毛立群;王忠忠
主权项 一种固态成像装置,其包括:光电变换元件,其用于通过对入射光的光电变换来生成信号电荷;以及转移晶体管,其用于将由光电变换元件生成的信号电荷转移到光电变换元件的外部,该固态成像装置通过信号处理来将由光电变换元件生成的信号电荷变换成图像信号并输出,该固态成像装置包括:半导体区,其被形成在第一导电性类型半导体衬底的第一主表面侧并且被元件分离区分离,其中,多个光电变换元件和转移晶体管被配置在被元件分离区分离的半导体区中,其中,该光电变换元件包括:第二导电性类型光电变换区,其用于对从在第一主表面的相反侧的第一导电性类型半导体衬底的第二主表面获取的入射光进行光电变换;第二导电性类型电荷累积区,其用于将由第二导电性类型光电变换区中的光电变换生成的信号电荷累积到第一导电性类型半导体衬底的第一主表面侧;以及第一导电性类型前表面半导体区,其被形成在第二导电性类型电荷累积区的第一主表面侧,从而完全覆盖第二导电性类型电荷累积区,其中,被元件分离区分离的半导体区包括:第二导电性类型信号电荷累积部,其用于累积从光电变换元件转移的信号电荷;以及第一导电性类型电荷转移区,其用于将该信号电荷从第二导电性类型电荷累积区转移至第二导电性类型信号电荷累积部,其中,第一导电性类型前表面半导体区具有超过第一导电性类型电荷转移区的杂质浓度的杂质浓度,以及其中,转移晶体管的栅极电极被配置在第二导电性类型电荷累积区的第一主表面侧的表面上并且被配置在被元件分离区分离的半导体区中的邻近光电变换元件之间的区域和光电变换元件与元件分离区之间的区域的第一主表面侧的表面上。
地址 日本大阪府大阪市