| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，包括：于块体硅衬底(403)上形成绝缘层(401)；于该绝缘层(401)上形成主动硅层(405)；于该主动硅层(405)上形成晶体管(409)，该晶体管包含形成于该主动硅层(405)中的源极/漏极区域(413、415)；于该主动硅层(405)上形成二极管(411)，该二极管(411)包含两个主动区域(417、419)；将该漏极区域(415)、主动区域(417、419)、以及块体硅层(403)电性连接，以形成充电保护装置；于该晶体管(409)与该二极管(411)上形成层间介电材料(439)；形成穿透该层间介电材料(439)的第一、第二、第三、及第四接点孔(441、443、445、及447)；以导电材料填充该第一、第二、第三、及第四接点孔(441、443、445、及447)，以形成第一、第二、第三、及第四导电接点(451、453、455、及457)；图案化第一金属层以于该层间介电材料(439)上形成第一与第二金属线(459、461)；在形成该层间介电材料层(439)之前，于该晶体管(409)与该二极管(411)间的该主动硅层(405)中蚀刻沟槽；以及以绝缘材料填充该沟槽，以形成浅沟槽隔离区域(407)，其中，该第一导电接点(451)连接该第一金属线(459)与该晶体管(409)的该漏极区域(415)，该第二导电接点(453)连接该第一金属线(459)与该二极管(411)的一个主动区域(417)，该第三导电接点(455)连接该第二金属线(461)与该二极管(411)的第二个主动区域(419)，而该第四导电接点(457)将该第二金属线(461)连接至该块体硅层(403)。 |
