| 发明名称 | 半导体集成器件的接触装置 | ||
| 摘要 | 一种集成器件具有：一第一导电区(6A)；一第二导电区(11A)；一绝缘层(9)，配置在第一与第二导电区之间；至少一个通孔(35)，延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中；以及一接触装置(10A)，制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成，后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35)，此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32)，配置得彼此顶部相叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1586005A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN01823325.2 | 申请日期 | 2001.04.19 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 拉费尔·赞布拉诺;西泽尔·阿托尼;恰拉·科瓦斯 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L27/115;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王景刚;李瑞海 |
| 主权项 | 1.一种集成器件，包括：至少一个第一导电区(6A，6B；40)；至少一个第二导电区(11A，11B；41)；一绝缘层(9；43)，延伸在所述第一与第二导电区之间；至少一个通孔(36)，在所述绝缘层(9；43)中延伸在所述第一与第二导电区之间；以及一接触装置(10A，10B；40)，制成在所述通孔之中，所述接触装置(10A，10B；40)包括一导电材料层(30)，在电气上连接所述第一和第二导电区，其特征在于，所述接触装置(10A，10B；40)包括一空置区(35)。 | ||
| 地址 | 意大利布里安扎 | ||