| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置制造方法，具有多个电极(22)和包含配线图案(12)的配线基板(10)，使搭载到配线基板(10)上的半导体芯片(20)之间的树脂(30)，以树脂(30)沸点以下的温度固化，直到固化反应率达到80％以上，使配线图案(12)和电极(22)接触。然后，将电极(22)和配线图案(12)进行共晶合金连接。由此提供一种可靠性高的半导体装置制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1641831A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN200410081810.0 | 申请日期 | 2004.12.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 今井隆浩 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/58;H01L21/60;H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置制造方法，其特征在于，包括：工序一，具有多个电极和含有配线图案的配线基板，使搭载到上述配线基板上的半导体芯片之间的树脂，以上述树脂沸点以下温度进行固化，直到固化反应率达到80％以上，使上述电极和上述配线图案接触；及工序二，然后将每个上述电极和上述配线图案进行共晶合金连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||