| 发明名称 | 场发射元件阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场发射元件阵列基板的制造方法包括下列步骤：首先，提供一基板。接着，形成阴极导电层于基板上。然后，形成具有多个孔洞的阳极处理层于此阴极导电层上。之后，在这些孔洞中，分别形成多个电子发射源。此外，形成一绝缘层，以覆盖电子发射源及阳极处理层。另外，形成一栅极材料层于绝缘层上。之后，图案化栅极材料层以形成一栅极层，其中栅极层与绝缘层中具有一暴露出电子发射源的开口。 | ||
| 申请公布号 | CN101339873A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200710127862.0 | 申请日期 | 2007.07.06 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 林贞君;潘扶民;张凯钧;郭全雯;刘梅;莫启能 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01);H01J9/00(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J31/12(2006.01) | 主分类号 | H01J9/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种场发射元件阵列基板的制造方法，包括：提供一基板；形成一阴极导电层于该基板上；形成一阳极处理层于该阴极导电层上，其中该阳极处理层具有多个孔洞；于该些孔洞内，分别形成多个电子发射源；形成一绝缘层，以覆盖该阳极处理层与该些电子发射源；形成一栅极材料层于该绝缘层上；以及图案化该栅极材料层以形成一栅极层，其中该栅极层与该绝缘层中具有一暴露出该些电子发射源的开口。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市中山北路三段二十二号 | ||