发明名称 |
基板处理设备以及磁记录介质制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法,该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和/或损坏。根据本发明实施例的基板处理设备包括向基板的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器,其中,第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板相对布置,并且第一离子束产生器中的第一栅格和第二离子束产生器中的第二栅格配置成相互不对称。 |
申请公布号 |
CN101645276A |
申请公布日期 |
2010.02.10 |
申请号 |
CN200910161710.1 |
申请日期 |
2009.07.31 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
山中和人;芝本雅弘;三好步;人见聪;大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;陈立航 |
主权项 |
1.一种基板处理设备,其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理,所述基板处理设备包括:第一离子束产生器,其包括用于提取等离子体中的离子的第一提取机构;以及第二离子束产生器,其包括用于提取等离子体中的离子的第二提取机构,所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对,其中所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束;所述第一提取机构包括第一栅格,并且所述第二提取机构包括第二栅格;以及所述第一栅格和所述第二栅格被布置成相互不对称。 |
地址 |
日本神奈川县 |