| 发明名称 | 具有晶粒置入通孔之晶圆级封装及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明系揭露一种封装结构，包含具有晶粒置入通孔之基底、连接穿孔结构及第一接触垫。晶粒系配置于上述晶粒置入通孔之内，环绕层充填于晶粒与晶粒置入通孔侧壁间之间隙，及/或形成于晶粒之下表面。介电层形成于晶粒与基底之上，重布层(RDL)形成于介电层之上且耦合至第一接触垫。保护层形成于重布层(RDL)之上，以及第二接触垫形成于基底之下表面及连接穿孔结构之下。 | ||
| 申请公布号 | CN101221936A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200810000107.0 | 申请日期 | 2008.01.02 |
| 申请人 | 育霈科技股份有限公司 | 发明人 | 杨文焜 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/13(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所 | 代理人 | 叶树明 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置封装结构，其特征在于：所述半导体装置封装结构，包含：一基底具有一晶粒置入通孔、一连接穿孔及一第一接触垫；一晶粒配置于该晶粒置入通孔之内；一环绕层充塡于该晶粒与该晶粒置入通孔侧壁间之间隙，及/或形成于该晶粒之下表面；一介电层形成于该晶粒与该基底之上；一重布层形成于该介电层之上且耦合至该第一接触垫；一保护层形成于该重布层之上；以及一第二接触垫形成于该基底之下表面及该连接穿孔结构之下。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号 | ||