半导体结构

摘要

一种半导体器件可以包含：具有顶面和底面的半导体衬底；沉积在衬底顶面的第一和第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的布线；沉积在衬底底面上的背面金属层；第一通孔结构，从衬底的底面延伸到第一绝缘层上，并且处在背面层和布线之间；第二通孔，从第一绝缘层上延伸到第二绝缘层上，并且处在第一通孔和布线之间。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：集成器件的第一和第二级，半导体衬底，具有顶面和底面，第一和第二绝缘层，沉积在所述衬底的该顶面上，布线，设置在该第二绝缘层上，背面金属层，沉积在该衬底的该底面上，第一通孔结构，从该衬底的底面延伸到该第一绝缘层的顶部，并处在该背面层与该布线之间，和第二通孔结构，从该第一绝缘层的顶部延伸到该第二绝缘层顶部，并处在该第一通孔与该布线之间，所述两个通孔结构都设置在该集成器件的该第一与第二级之间以实现电磁和/或热的去耦合，其中该第一和第二通孔结构设置在具有源极区、漏极区和栅极的场效应晶体管结构中，以使该第一通孔连接该源极区和该背面层。