| 摘要 |
Es wird ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (5) aussendet, angegeben. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine erste Konversionsschicht (11) auf einer Seitenflanke (6) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, und eine zweite Konversionsschicht (12) auf der Strahlungsaustrittsfläche (5) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten oder eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Die erste Konversionsschicht (11) ist hierbei von der zweiten Konversionsschicht (12) verschieden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements angegeben. |
