Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie

摘要

Verfahren zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie, wobei Strukturen dieser Maske (102) mit Beleuchtungslicht einer Beleuchtungseinrichtung (103, 104) beleuchtet werden, wobei von dieser Maske (102) kommendes Licht von einer Abbildungsoptik (105) auf eine Detektoreinheit (107) abgebildet und detektiert wird, und wobei von der Detektoreinheit (107) aufgenommene Bilddaten in einer Auswerteeinheit (108) zur Positionsbestimmung der Strukturen ausgewertet werden, dadurch gekennzeichnet, dass die von der Detektoreinheit (107) aufgenommenen Bilddaten bei der Auswertung einer Nachbearbeitung unterzogen werden, wobei diese Nachbearbeitung derart erfolgt, dass wenigstens ein Effekt, welcher bei Abbildung der einen Maske (102) durch ein Projektionsobjektiv (20) einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage auf einen Wafer (40) eine Verzerrung des Abbildes der Strukturen der Maske (102) in der Waferebene bewirkt, emuliert wird, wobei ausgehend von den der Nachbearbeitung unterzogenen Bilddaten eine Positionsbestimmung der Strukturen auf der einen Maske erfolgt; wobei der wenigstens eine Effekt die Durchbiegung eines in einer Waferebene der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gehaltenen Wafers (40) umfasst.