低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，该薄膜由具有通式为SiO_xR_y的材料制成；薄膜中的化学键是Si－O键、Si－C键和C－H键；薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，退火温度为200－600℃，升温速率为5－20℃每分钟。本发明的优点是：介电常数低，纳米微孔分布均匀，微孔大小尺寸可调，薄膜的刚性、柔性可调控，薄膜电学性质稳定，与硅片的粘附性好，结合紧密，残余应力小。

主权项

1、一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于该薄膜由具有下列通式的材料制成： SiOxRy 其中：1≤x＜2，0＜y≤2，2x+y＝4；R为甲基、乙基或苯基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜含有纳米微孔。