| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：栅介质膜，形成于半导体衬底上；栅极，包括：第一电极层，形成于栅介质膜上，介质膜，厚度为5或更大且为100或更小，并形成于第一电极层上，以及第二电极层，形成于介质膜上；以及源和漏区，形成于栅极两侧的半导体衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1585136A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410069018.3 | 申请日期 | 2004.07.12 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐佐木俊行;成田雅贵 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/00 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：栅介质膜，形成于半导体衬底上；栅极，包括：第一电极层，形成于栅介质膜上，介质膜，厚度为5或更大且为100或更小，并形成于第一电极层上，以及第二电极层，形成于介质膜上；以及源和漏区，形成于栅极两侧的半导体衬底中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||