薄膜制作方法和系统

摘要

本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在衬底中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于衬底20的内壁表面20b上，该表面面向在衬底20中形成的空间23。衬底20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于衬底20上，而基本上不将直流偏置电压施加于衬底20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。

主权项

1.一种通过等离子体化学气相淀积在面向在所述衬底中形成的空间的衬底的内壁表面上产生薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：在用于等离子体化学气相淀积的室中提供所述衬底；以及将用于等离子体反应的气体流到所述空间中并将脉冲电压施加于所述衬底上而不将直流偏置电压施加于所述衬底上，从而在所述内壁表面上形成所述薄膜，其中所述面向空间的衬底的内壁表面的直径为大于等于0.001mm并且小于等于10mm，所述脉冲电压施加的电场为20到300kV/m，所述脉冲电压施加的脉冲宽度为1μs到50μs，所述脉冲电压的脉冲周期为100Hz到10000Hz。