| 发明名称 |
MEMORY USING HOLE TRAPPING IN HIGH-K DIELECTRICS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1900033(A2) |
申请公布日期 |
2008.03.19 |
| 申请号 |
EP20060773156 |
申请日期 |
2006.06.15 |
| 申请人 |
MICRON TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
FORBES, LEONARD;AHN, KIE Y |
| 分类号 |
H01L29/51;G11C16/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L29/51 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
