聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。

主权项

1.一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性的处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的环状部件，其中：在靠近其表面的内部，具有第一平均表面粗糙度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有大于所述第一平均表面粗糙度的第二平均表面粗糙度的第二区域，所述第一区域的平均表面粗糙度在0.1以下，所述第二区域的平均表面粗糙度在0.15以上、0.36以下。