横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。

主权项

1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，形成于具有从半导体基板绝缘隔离后的单晶硅区域的介质隔离基片上，其特征在于：在各单晶硅区域内分别形成上述横向绝缘栅双极型晶体管，且这些上述横向绝缘栅双极型晶体管彼此不被绝缘隔离，各上述横向绝缘栅双极型晶体管和与之对应的发射极的n型扩散层由发射极短路，且两个相邻的上述单晶硅区域内的各个上述横向绝缘栅双极型晶体管由发射极布线和集电极布线连接。