| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成为邻近外延结构的鳍侧壁间隔件。鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且第一高度大于第二高度，并且鳍侧壁间隔件配置为控制外延结构的体积和第一高度。 | ||
| 申请公布号 | CN106206580A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510245425.3 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：衬底；鳍结构，在所述衬底之上延伸；外延结构，形成在所述鳍结构上，其中，所述外延结构具有第一高度；鳍侧壁间隔件，形成为邻近所述外延结构，其中，所述鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且所述第一高度大于所述第二高度，并且其中，所述鳍侧壁间隔件配置为控制所述外延结构的体积和所述第一高度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||