发明名称 |
一种降低变容器最小电容的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种降低变容器最小电容的方法,包括:进行浅沟槽隔离制作,形成有源区;利用第一光刻胶图案,对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱;利用第二光刻胶图案,对核心NMOS区域和变容器区域执行离子注入;利用第三光刻胶图案,在变容器区域通过注入形成N型阱;制作栅极氧化层并淀积栅极多晶硅,而且进行栅极多晶硅的光刻和刻蚀以形成栅极;将刻蚀后的栅极多晶硅和栅极氧化层进行修复氧化;制作栅极侧墙;进行源漏注入以形成源漏极。 |
申请公布号 |
CN106206259A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610766363.5 |
申请日期 |
2016.08.30 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
卢海峰;张冬明;刘巍 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种降低变容器最小电容的方法,其特征在于包括:第一步骤:进行浅沟槽隔离制作,形成有源区;第二步骤:利用第一光刻胶图案,对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱;第三步骤:利用第二光刻胶图案,对核心NMOS区域和变容器区域执行离子注入;第四步骤:利用第三光刻胶图案,在变容器区域通过注入形成N型阱。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |