一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括在SOI衬底上形成栅结构和内偏移侧墙，在内偏移侧墙两侧形成第一抬高源漏区域，在第一抬高源漏区域上方的内偏移侧墙两侧形成第一外侧墙，在第一外侧墙两侧的第一抬高源漏区域上继续形成第二抬高源漏区域，在第二抬高源漏区域上方的第一外侧墙两侧继续形成第二外侧墙；通过形成具有阶梯形侧墙结构的低寄生电容全耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应晶体管，可以平衡源漏扩展区电阻和寄生电容的取舍，在保证源漏扩展区杂质分布不改变的同时，可减少抬高源漏区域与栅极间的寄生电容，具有流程简单、成本低廉等优点，并可适用于具有不同晶向的衬底。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅结构和内偏移侧墙；步骤S02：在内偏移侧墙两侧的所述SOI衬底上形成第一抬高源漏区域；步骤S03：在第一抬高源漏区域上方的内偏移侧墙两侧形成第一外侧墙；步骤S04：在第一外侧墙两侧的第一抬高源漏区域上继续形成第二抬高源漏区域；步骤S05：在第二抬高源漏区域上方的第一外侧墙两侧继续形成第二外侧墙。