| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：下层侧绝缘膜；形成于下层侧绝缘膜上的布线图案；形成于下层侧绝缘膜和布线图案上的基绝缘膜；和形成于基绝缘膜上的多个金属薄膜电阻元件；其中连接孔形成于布线图案上的基绝缘膜中；布线图案和金属薄膜电阻元件在连接孔中电连接；金属薄膜电阻元件具有与连接孔分离设置的带状部和与带状部连续形成并连接到连接孔中的布线图案的连接部；以及至少两个金属薄膜电阻元件的连接部分形成于单个连接孔中，在所述连接部之间具有间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN100501974C | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200680002320.4 | 申请日期 | 2006.09.21 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 山下公彦;桥本泰典 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王 冉;王景刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：下层侧绝缘膜；形成于下层侧绝缘膜上的布线图案；形成于下层侧绝缘膜和布线图案上的基绝缘膜；和形成于基绝缘膜上的多个金属薄膜电阻元件；其中连接孔形成于布线图案上的基绝缘膜中；布线图案和金属薄膜电阻元件在连接孔中电连接；金属薄膜电阻元件具有与连接孔分离设置的带状部和与带状部连续形成并连接到连接孔中的布线图案的连接部；以及至少两个金属薄膜电阻元件的连接部分形成于单个连接孔中，在所述连接部之间具有间隙。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||