| 发明名称 | 纳米线、纳米线的生产方法及电子装置 | ||
| 摘要 | 这里公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。 | ||
| 申请公布号 | CN101643196A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910004187.1 | 申请日期 | 2009.02.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李银京;崔秉龙;朴京洙;韩在熔 |
| 分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;罗延红 |
| 主权项 | 1、一种纳米线，所述纳米线包含：富硅氧化物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||