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In einer Ausführungsform umfasst ein Halbleiterbauelement ein Substrat, eine Gruppe III-Nitrid-basierte Halbleiterschicht, die auf dem Substrat gebildet ist, eine erste Stromelektrode und eine zweite Stromelektrode, die auf der Gruppe III-Nitrid-basierten Halbleiterschicht gebildet und voneinander beabstandet sind, und eine Steuerelektrode, die zwischen der ersten Stromelektrode und der zweiten Stromelektrode auf der Gruppe III-Nitrid-basierten Halbleiterschicht gebildet ist. Die Steuerelektrode umfasst mindestens einen Mittelabschnitt, der dazu ausgebildet ist, einen Kanal unter dem Mittelabschnitt abzuschalten, wenn eine erste Spannung an die Steuerelektrode angelegt wird, und zweite Abschnitte, die an den Mittelabschnitt anschließen. Die zweiten Abschnitte sind dazu ausgebildet, einen Kanal unter den zweiten Abschnitten auszuschalten, wenn eine zweite Spannung an die Steuerelektrode angelegt wird, wobei die zweite Spannung geringer als die erste Spannung ist und die zweite Spannung geringer als eine Schwellenspannung der zweiten Abschnitte ist. |
