Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, aufweisend: – Ein Bereitstellen eines einkristallinen Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Oberfläche (12), einer der ersten Oberfläche (12) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (13), einem Halbleiterbauelement-Abschnitt (14) des Halbleiterkörpers (10) und einem dazu benachbarten Trenngebiet (15) des Halbleiterkörpers, – Erzeugen eines polykristallinen Halbleiterkörpergebiets (11) zwischen der ersten und zweiten Oberfläche (12, 13) in dem Halbleiterbauelement-Abschnitt (14), wobei eine elektromagnetische Strahlung (20) mit einer Wellenlänge von mindestens 1064 nm auf eine Position in dem Halbleiterbauelement-Abschnitt (14) des Halbleiterkörpers (10) fokussiert in den Halbleiterkörper (10) eingebracht wird, und wobei die Leistungsdichte der Strahlung an der Position weniger als 1 × 108 W/cm2 beträgt, – Vereinzeln des Halbleiterbauelements dadurch, dass der einkristalline Halbleiterkörper (10) in dem Trenngebiet (15) von der ersten Oberfläche (12) bis zur zweiten Oberfläche (13) durchtrennt wird.