| 发明名称 | 一种LED微显示阵列倒装芯片及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED微显示阵列倒装芯片及制作方法，该倒装芯片包括衬底、阵列蚀刻在衬底上的多个凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层和设于衬底上的LED微像素阵列，各LED微像素和凹槽一一对应；所述透明薄膜层的折射率>2.3，对蓝光或绿光的透过率>97%。各LED微像素包括依次沉积在衬底上的N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，各LED微像素阵列的N型GaN层连为一体，形成一个共阴极，其上沉积有N电极金属接触层；LED微像素区P型GaN层上沉积有P电极金属接触层。本发明LED微显示阵列倒装芯片通过在衬底上沉积高折射率透明薄膜层材料，实现了发光层光源的更好汇聚，解决了光进入低折射率蓝宝石衬底后会发散的问题，减少了像素单元之间出光的干扰，提升了LED微显示阵列的分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN106206605A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610631000.0 | 申请日期 | 2016.08.04 |
| 申请人 | 上海君万微电子科技有限公司 | 发明人 | 石素君;许键;张雪峰 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人 | 吴静安;赵超 |
| 主权项 | 一种LED微显示阵列倒装芯片，其特征在于：包括衬底、阵列蚀刻在衬底上的多个凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层和设于衬底上的LED微像素阵列，各LED微像素和凹槽一一对应；所述透明薄膜层的折射率>2.3，对蓝光或绿光的透过率>97%。 | ||
| 地址 | 200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路351号2号楼A682-01室 | ||