高度集成半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有能保证接触阈量硅化物层的高度集成半导体器件及制造该高度集成半导体器件的方法。该高度集成半导体器件包括在半导体衬底上形成一栅极。在栅极两侧上的半导体衬底的预定上部中形成一源极区和一漏极区，使源极区和漏极区的每一个都含有一轻掺杂漏极(LDD)区和一重掺杂区。在栅极、源极区和漏极区上形成一硅化物层。该硅化物层具有一起电阻接触作用的足够厚度并且形成于源极区和漏极区的每一个的LDD区和重掺杂区上。

主权项

1、一种高度集成半导体器件，包括：一半导体衬底；在半导体衬底的预定部分淀积的一栅极；在栅极两侧上的半导体衬底的预定部分形成的一外延层，以便能使栅极凹进外延层一预定深度；在外延层内和外延层下方的半导体衬底的预定上部形成的一源极区和一漏极区，以便源极区和漏极区的每一个都包括一轻掺杂漏极区和一重掺杂区；沿栅极的侧壁形成的一偏置间隔层，使栅极与源极区和漏极区绝缘；在栅极、源极区和漏极区上形成的一硅化物层，其中硅化物层形成在源极区和漏极区中的每一个的轻掺杂漏极区和重掺杂区上。